Araştırmacılar İsmail Altuntas
İsmail Altuntas profil resmi
İsmail Altuntas Dr.
Yayın 3 Hakemlik 2 CrossRef Atıf 9
3 Yayın
2 Hakemlik
9 CrossRef Atıf

Kurum

Yayınlar

The Effect of Si (111) Substrate Surface Cleaning on Growth Rate and Crystal Quality of MOVPE Grown AlN
Yazarlar: İzel Perkitel , İsmail Altuntas , İlkay Demir
Yayın Bilgisi: 2022 , Gazi University Journal of Science
DOI: 10.35378/gujs.822954
FAVORİ 0 TOPLAM İNDİRİLME SAYISI 1061

0

1061

MOVPE ile büyütülen GaN Epitabaka: Farklı Çekirdeklenme Tabakası Sıcaklığının Etkisi
Yazarlar: İsmail Altuntas , Sezai Elagöz
Yayın Bilgisi: 2021 , International Journal of Innovative Engineering Applications
DOI: 10.46460/ijiea.898795
FAVORİ 0 TOPLAM İNDİRİLME SAYISI 480

0

480

XRD and photoluminescence measurements of GaN grown on dome shaped patterned sapphire with different NH3 flow rates
Yazarlar: İsmail Altuntas
Yayın Bilgisi: 2021 , Cumhuriyet Science Journal
DOI: 10.17776/csj.858546
FAVORİ 0 TOPLAM İNDİRİLME SAYISI 498

0

498

Makalelerin Yayımlandığı Dergiler
Cumhuriyet Science Journal
Cumhuriyet Science Journal
Gazi University Journal of Science
Gazi University Journal of Science
International Journal of Innovative Engineering Applications
International Journal of Innovative Engineering Applications

Hakemlik

Cumhuriyet Science Journal
Cumhuriyet Science Journal
International Journal of Innovative Engineering Applications
International Journal of Innovative Engineering Applications

Yayınlar

The Effect of Si (111) Substrate Surface Cleaning on Growth Rate and Crystal Quality of MOVPE Grown AlN
Yazarlar: İzel Perkitel , İsmail Altuntas , İlkay Demir
Yayın Bilgisi: 2022 , Gazi University Journal of Science
DOI: 10.35378/gujs.822954
ATIF 7 FAVORİ 0 TOPLAM İNDİRİLME SAYISI 1061

7

0

1061

MOVPE ile büyütülen GaN Epitabaka: Farklı Çekirdeklenme Tabakası Sıcaklığının Etkisi
Yazarlar: İsmail Altuntas , Sezai Elagöz
Yayın Bilgisi: 2021 , International Journal of Innovative Engineering Applications
DOI: 10.46460/ijiea.898795
ATIF 1 FAVORİ 0 TOPLAM İNDİRİLME SAYISI 480

1

0

480

XRD and photoluminescence measurements of GaN grown on dome shaped patterned sapphire with different NH3 flow rates
Yazarlar: İsmail Altuntas
Yayın Bilgisi: 2021 , Cumhuriyet Science Journal
DOI: 10.17776/csj.858546
ATIF 1 FAVORİ 0 TOPLAM İNDİRİLME SAYISI 498

1

0

498

Popüler Yayınlar: DergiPark'ta araştırma yapan araştırmacılar tarafından favoriye eklenme istatistiğine göre otomatik belirlenmektedir. CrossRef Atıf: DergiPark'ta gösterilen atıflar CrossRef'ten çekilmektedir. Bunun için atıf alan ve atıf verilen makalelerin CrossRef'te kaydının olması (DOI numarası) gerekmektedir. ^: Atıf sayıları DergiPark tarafından belirli periyotlar ile sisteme yansıtılmaktadır.
İnteraktif Rehber Aracı
Panel tanıtımını görmek istiyorsanız Turu Başlat' a tıklayabilirsiniz.